첼씨
1나노 이하에서는 소자 간격이 너무 좁아서,
전압을 주지 않더래도 전류가 흐르는 현상이 생기는데,
그 문제를 해결하는 방법 당연히있지.
그건 소스와 드레인을 만들때, 식각을 해두고 그 안에 절연체를 넣어, 임플란트를 하는거야.
그리고 플라즈마 식각으로 깊게 파는거지.
그러면 A-1과 A-2, B-1과 B-2 이렇게 절연층이 생기게 되고,
소스와 드레인 사이에 전압을 걸면 C를 통해 전류가 흐르는거야.
채널이 아래로 내려가는거지.
소자간의 길이가 짧아질수록, 깊게 만들면 되는데,
산화막을 좀 더 두껍게 만들면 돼,
이러면 소스와 드레인의 공간이 커지면서 전자의 잔류 시간이 길어지는거지.
그러면 전압을 높이지 않아도 전류가 흐르는것도 막을수있고,
누설 전류량이 줄어드는거야.
달코마 너 쪽팔려서 시급 못준데...
