반도체에서 수율을 높이고 누설전류를 잡는게 굉장히 중요한데,

반도체는 게이트에서 인가 전압을 주게 되면 절연체를 옆면으로 전류가 통과하는데

이때 전기가 통하면서, 채널이 작동되는거야. 

그런데 소자가 작아짐에 따라서, 게이트에서 전압을 주지 않았는데,

절연체가 없는 방향으로 전류가 퍼져나가면서, 누설 전류를 발생시키는데, 

그래서 게이트에 코팅을 해주면 되는거지.

A게이트에서 전압을 주었을때 B 절연체에서 터널링 효과가 발생해서, C와 D에 전류가 흐르는 채널이 만들어지는데,

가령 B 절연체를 통과하려면 5V의 전압이 필요하다는거지.

그런데 3V만 되더래도, 절연체를 제외한 다른곳으로 전류가 흘러가는거야.

이러는 이유는 산화막의 밀도가 낮아져서 터널링 효과가 발생했기 때문인데,

건식으로 산화막을 만들면서, 두께를 조금 두껍게 만들어서, 

3V에서 흐르는 전류는 산화막에서 흡수되어서

열로 전환되고 전자가 흐르지 않도록 해야겠지. 

소자가 작아져서 전압을 주게 되면 산화막을 통과해서 흐르는 전류가 늘어나서, 

누설전류량이 늘어나는데,

이렇게 산화막을 건식으로 만들어서 밀도를 늘리고, 두께를 늘린 상태에서, 

게이트 위를 두껍게 절연체로 코팅해주면 누설 전류도 해결하고, 수율도 높이는거지.